第三百八十三章 给每一根头发取了名字(2/2)

该类半导体之所以被称之为宽禁带半导体，是因为其禁带宽度较宽。

第一第二代半导体的禁带宽度一般在1.0ev到1.5ev左右。

但宽禁带半导体的禁带宽度却是大于2ev，这类材料主要包括an（氮化镓、）aln（氮化铝）、ze（硒化锌）以及金刚石等。

禁带宽度对于半导体器件性能有着举足轻重的影响，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度。

禁带宽度越宽，耐压和耐高温的性能越强。

因此，在诸多性能上，第三代的宽紧带半导体是要优于第一代和第二代的。